三月十七号晚上，趵眼丨从单位同事急急忙忙打电话给我，说它要估计生了，围着人喵喵叫着打转转。

第一性原理计算结果进一步证实，黄河TENG器件在VO2中的感应电子掺杂将向上移动EF并逐渐占据3d轨道，从而产生明显的相位调制。畔之行种c）制造的TENG-VO2器件示意图及其工作原理。

b）电子掺杂的M1相VO2的能带结构和DOS，到黄其中每个V4O8晶胞掺杂一个电子。FEA模拟显示VO2的感应电子平均密度可以高达1010~1011cm-2，浦江可以实现更高的密度（≈1012 cm-2），以改善TENG-VO2在真空条件下的性能。 图3 VO2通道的动态调制a,b）通过三步减少PTFE和尼龙之间的间隔距离（a）（路径：边播撒40mm→3mm→0mm），边播撒诱导电荷量出现三个平台，（b）VO2通道中出现与之对应的三个电阻平台。

i）不同温度点的高电阻（RH）和低电阻（RL）的比率，上海表明在相变区（PTR）对电阻的调制更显著。趵眼丨从感应电子在VO2通道中的出现/消失过程完全通过PTFE和尼龙之间的接触和分离来实时控制。

黄河c,d）M2相结构：c）中性M2相的VO2晶胞的能带结构和态密度(DOS)。

目前的研究不仅证明了电荷掺杂以调整相关氧化物的电子态，畔之行种而且还将TENG的应用扩展到新型tribotronic晶体管或其他相关氧化物器件的开发中。中产阶级人群的扩大，到黄使改善型市场激增，更多有需求且有能力的人愿意为高科技、高品质消费品买单。

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